买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR19K180EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

AGR19K180EF

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR19K180EF PDF下载
制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 N-Channel
频率 1.84 GHz to 1.87 GHz
增益 12 dB
输出功率 21.4 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 19K180E
封装
相关资料
属性
链接
代理商 AGR19K180EF
AGR21030EF
AGR21045EF
AGR21060EF
AGR21090EF
AGR21125EF
供应商
公司名
电话
深圳市荣泽信电子科技有限公司 18028731859 荣泽信－晏S
天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪宝宇
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 朱科
深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
深圳市华诺星科技有限公司 18998919871 廖小姐
  • AGR19K180EF 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • AGR19K180EF 相关型号
  • AGR21030EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21060EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21090EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21125EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR21N090EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26125EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR26180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor